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シュプリンガー 半導体デバイス・ハンドブック

100名近い専門家が寄稿―基礎から最前線までを一冊で見わたせる待望のレファレンス!

関連ワード:Springer 材料科学 洋書 物理学 電気工学  更新日:2024.03.26

シュプリンガー 半導体デバイス・ハンドブック
Springer Handbook of Semiconductor Devices

Editors: Massimo Rudan, Professor of Electronics at the University of Bologna, Rossella Brunetti, Professor of Condensed Matter Physics at the Department
of Physics, Informatics and Mathematics of the University of Modena & Susanna Reggiani, Professor at the School of Engineering of the University of Bologna

2022:12 1,679 p. 1,335 illus., 1,012 in color ISBN 978-3-030-79826-0 (Springer) -DE-
EUR 359.99

Web販売価格:税込¥68,300 / 標準価格:税込¥88,304

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概要

世界最初の半導体デバイスがベル研究所でお披露目されてから75年、飛躍的に進化し続ける電化生活とともに歩んだその技術の今日までの発展は、多くの関連分野の基礎的研究に支えられてきました。

本書は、電気工学、材料科学、物理学の産学を越える今日の代表的な専門家100名近くが寄稿した、斯界待望のハンドブックです。全45章にて、理論から、製造、モデリング、応用までの基礎と最前線を網羅します。基礎的なデバイスと応用を扱う第2部のうち、シリコンパワーデバイスの章を、岩室憲幸・筑波大学教授が執筆しています。また、本書のために、日本における半導体デバイスの第一人者である濱口智尋・大阪大学名誉教授が序言を寄せています。

権威あるSpringer Handbooksシリーズの中でも、日本の得意分野である半導体デバイスの最新の展望を一冊で見わたせる本書を、ぜひともご所蔵ください。

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※本件についてのお問い合わせ、お見積りについては最寄りの紀伊國屋書店営業所もしくはこちらまでお願いいたします。

収録明細

Part I: Technological Aspects
1. CMOS Manufacturing Processes
2. Semiconductor Memory Technologies
3. BCD Process Technologies
4. Measuring Techniques for the Semiconductor’s Parameters
5. Interconnect Processing: Integration, Dielectrics, Metals
6. Wet Chemical Processes for BEOL Technology
7. From FinFET to Nanosheets and Beyond
8. Advanced Lithography
9. Advanced Technologies for Future Materials and Devices
Part II: Basic Devices and Applications
10. MOS Capacitors, MOS Transistors, and Charge-Transfer Devices
11. Electrostatic Doping and Devices
12. Planar MOSFETs and Their Application to IC Design
13. Silicon Power Devices (岩室 憲幸 Noriyuki Iwamuro)
14. Silicon Carbide Power Devices
15. GaN-Based Lateral and Vertical Devices
16. Bipolar Transistors and Silicon Diodes
17. Memory Challenges
18. Silicon Sensors
19. Solar Cells
20. X-Ray Detectors
21. Photodetectors Based on Emerging Materials
22. Terahertz Electronic Devices
23. Semiconductor Lasers
Part III: New-Generation Devices and Architectures
24. Heterojunction Tunnel Field-Effect Transistors
25. Carbon-Based Field-Effect Transistors
26. Negative Capacitors and Applications
27. Flexible Electronics and Bioelectronics Devices
28. Biodegradable Electronics
29. Resistive-Switching Memories
30. Phase-Change Memories
31. Spin-Based Devices for Digital Applications
32. Memristive/CMOS Devices for Neuromorphic Applications
33. Nanoelectronic Systems for Quantum Computing
Part IV: Modeling
34. Compact/SPICE Modeling
35. Process Simulation
36. A Digital Twin for MEMS and NEMS
37. Macroscopic Transport Models for Classical Device Simulation
38. Grid Generation and Algebraic Solvers
39. Spherical Harmonics Expansion and Multi-Scale Modeling
40. Charge Transport Models for Amorphous Chalcogenides
41. Application of the k – p Method to Device Simulation
42. Ab initio Methods for Electronic Transport in Semiconductors and Nanostructures
43. Quantum Transport in the Phase Space, the Wigner Equation
44. The Nonequilibrium Green Function (NEGF) Method
45. Tight-Binding Models, Their Applications to Device Modeling, and Deployment to a Global Community

(学術洋書部)